• 產品詳情
    • 產品名稱:PLD脈沖激光濺射沉積設備

    • 產品型號:CY-PLD-450
    • 產品廠商:泰諾
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    簡單介紹:
    該PLD脈沖激光濺射沉積系列設備主要用于生長光學晶體、鐵電體、鐵磁體、超導體和有機化合物薄膜材料,尤其適用于生長高熔點、多元素及含有氣體元素的復雜層狀超晶格薄膜材料。
    詳情介紹:

    該PLD脈沖激光濺射沉積系列設備主要用于生長光學晶體、鐵電體、鐵磁體、超導體和有機化合物薄膜材料,尤其適用于生長高熔點、多元素及含有氣體元素的復雜層狀超晶格薄膜材料。

    PLD脈沖激光濺射沉積

    二、設備概述

    該設備按外觀結構可分為五部分:PLD沉積室、真空測量系統、真空獲得系統、工作臺、電控柜組成。                      

    2.1 PLD沉積室

    球型真空室結構,尺寸Φ450mm,選用1Cr18Ni9Ti不銹鋼材料制造,氬弧焊接,表面噴玻璃丸亞光處理。真空漏率小于5.0×10-8Pa.I/S。接口密封采用金屬墊圈密封或氟橡膠圈密封,真空室下方為Φ220的圓筒,安裝到工作臺面上。下方連接CF150刀口法蘭,連接CF150手動插板閥。連接CF150旁抽管組件,連接620分子泵系統。真空室前方,有一帶觀察窗膠圈密封門,通徑Φ150mm,用于進出樣品及靶材更換維護。觀察窗的左側,安裝旋轉靶臺。旋轉靶臺的正對面,安裝樣品加熱臺。與旋轉靶臺在同一水平面上,成135°角,布置兩個通徑Φ100mm的入射觀察窗。配有紅外,紫外石英各一塊。在真空室上方,留有通徑Φ100mm的操作,試驗觀察窗兩個。并有CF35備用法蘭口兩個,用于設備的升級。真空室體安裝電阻規,電離規,KF40手動予抽角閥,Φ10手動放氣閥,CF35烘烤照明電極。

    2.1.1        旋轉靶臺                     

    1、每次可以裝四塊靶材,靶材尺寸:(i)Φ60mm~Φ25mm;

       2、每塊靶材可實現自轉,轉速5-50轉/分,連續可調,由步進電機驅動磁力耦合機構控制;

       3、靶位公轉換位機構,由步進電機驅動磁耦合機構控制;

       4、靶材屏蔽罩將三塊靶材屏蔽,每次只有一個靶材露出濺射成膜,以避免靶材之間的交叉污染。

    2.1.2 樣品加熱臺組件                                                       

       1、襯底尺寸:Φ60mm,可放置Φ10mm—Φ60mm樣品,采用機械固定方式,通過更換襯底蓋更換;

       2、樣品加熱,*高溫度800℃±1℃;由熱電偶閉環反饋控制;(如做氧化物研究可特殊制作加熱器)

       3、襯底可連續回轉,轉速5~50轉/分,步進電機驅動轉軸機構完成;

       4、靶與襯底之間距離可調20-80mm,由移動襯底腔外手動波紋管調節機構完成;

    2.1.3 窗口配件

    1、Φ100mm石英玻璃窗口(248nm紫外波段,供激光入射用的)                 

    2、Φ100mm石英玻璃窗口(紅外波段)                                       

     3、Φ100mm光學玻璃窗口                                                   

    2.1.4真空獲得系統

    配置KYKY-160/620分子泵1臺,

    配置2XZ-8B機械泵1臺,

    配置Ф40波紋管管路4根。

    配置放氣閥1只,   

    配置KF40帶放氣電磁真空角閥2只,

    配置KF40帶充氣電磁真空角閥1只,

    配置CF150手動插板閥1只,

    配置CF35手動角閥2只,

    配置分子篩一套

    2.1.5真空氣路

    配置七星華創26C質量流量計兩路,N2氣標定。100 SCCM。通過混氣罐,通過手動角閥進入。

    2.1.6 真空測量系統

    真空測量系統由測量規管和真空計組成。該機配有直插式電阻規、金屬電離規。測量真空度大氣~2X10-5Pa。

    2.1.7 工作臺

    工作臺由機架、圍板組成。機架是該設備的骨架,安裝著支撐部件。內部安裝氣路,水排等部件。

    2.1.8 電控柜

    電控柜上安裝有觸摸屏控制單元,流量顯示儀,基片加熱電源,電離電源,620L分子泵電源、總電源六部分組成。

    1.真空控制單元由PLC+觸摸屏控制,控制真空獲得系統,樣品旋轉運動過程和照明系統。PLC為韓國LG產品,觸屏屏為北京昆侖通泰產品,7寸彩屏。

    2.基片及有機加熱控制電源由導電SR3表組成。 控溫精度±0.5℃。*高加熱溫度800℃。

    3.流量顯示儀 一帶二,北京七星華創。

    4. 電離電源用于對基片的清洗,3KW/1KW。

    5. FF160/620分子泵電源控制分子泵的啟停和運轉情況。

    6.*下面為總電源區箱,當空氣開關合閘時,設備整體上電。帶有相序報警。

     

    三、主要技術參數:

    PLD沉積室極限真空度:優于5x105Pa

    PLD沉積室抽速:40分鐘優于7x104Pa

    PLD沉積室保壓:12小時<10Pa

    基片加熱:800℃,控溫精度: ±0.5

    基片運動速度:5~50/

    靶位:4位。

    基片尺寸:Φ60一片。

     

    、運行環境

    供電:~380V三相五線制供電系統,功率<7KW

    冷卻水:循環量>15L/Min,冷卻水溫度15℃~30℃。制冷量>600W。(建議采用去離子水,獨立水箱)

    工作環境溫度:10℃~40℃。工作環境濕度:30%~60%

    占地空間:2000X2500mm

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